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HUF75329S3

Référence fabricant:	HUF75329S3
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Feuilles de données:	HUF75329S3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	UltraFET™
Paquet	Tube
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	49A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 20 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1.06 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	128W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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