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MMFT2N02ELT1

Référence fabricant:	MMFT2N02ELT1
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
Feuilles de données:	MMFT2N02ELT1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	1.6A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 800mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 5 V
Vgs (max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	580 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	SOT-223
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA

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