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Référence fabricant: | BSP129E6327T |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
Partie de la description: | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 |
Feuilles de données: | BSP129E6327T Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | SIPMOS® |
Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 240 V |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 350mA (Ta) |
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 108µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7 nC @ 5 V |
Vgs (max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 108 pF @ 25 V |
Fonction FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de l'appareil fournisseur | PG-SOT223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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