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Renesas Electronics America / 2SK1775-E

2SK1775-E

Référence fabricant: 2SK1775-E
Fabricant: Renesas Electronics America
Partie de la description: MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
Feuilles de données: 2SK1775-E Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1730 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)60W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-3P
Paquet / caisseTO-3P-3, SC-65-3
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