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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FDP150N10

FDP150N10

Référence fabricant: FDP150N10
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Feuilles de données: FDP150N10 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesPowerTrench®
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C57A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs69 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4760 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)110W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-220-3
Paquet / caisseTO-220-3
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