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IR (Infineon Technologies) / IRFH5010TRPBF

IRFH5010TRPBF

Référence fabricant: IRFH5010TRPBF
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Feuilles de données: IRFH5010TRPBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesHEXFET®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C13A (Ta), 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4340 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.6W (Ta), 250W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-PQFN (5x6)
Paquet / caisse8-PowerVDFN
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