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Référence fabricant: | AOD4102 |
Fabricant: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
Partie de la description: | MOSFET N-CH 30V 8A/19A TO252 |
Feuilles de données: | AOD4102 Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | - |
Paquet | Tape & Reel (TR) |
État de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 30 V |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 8A (Ta), 19A (Tc) |
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 10 V |
Vgs (max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 15 V |
Fonction FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4.2W (Ta), 21W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de l'appareil fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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