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IRFS59N10DTRLP

Référence fabricant:	IRFS59N10DTRLP
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 59A TO263-3-2
Feuilles de données:	IRFS59N10DTRLP Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	HEXFET®
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	59A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	114 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2450 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-TO263-3-2
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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