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Rochester Electronics / IRFI7536GPBF

IRFI7536GPBF

Référence fabricant: IRFI7536GPBF
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Feuilles de données: IRFI7536GPBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesHEXFET®
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C86A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs195 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6.6 pF @ 48 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)75W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-220 Full Pack
Paquet / caisseTO-220-3 Full Pack
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