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IR (Infineon Technologies) / IPZ60R099C7XKSA1

IPZ60R099C7XKSA1

Référence fabricant: IPZ60R099C7XKSA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Feuilles de données: IPZ60R099C7XKSA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesCoolMOS™ C7
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C22A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 490µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1819 pF @ 400 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)110W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurPG-TO247-4
Paquet / caisseTO-247-4
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