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Nexperia / BSH111BKR

BSH111BKR

Référence fabricant: BSH111BKR
Fabricant: Nexperia
Partie de la description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Feuilles de données: BSH111BKR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C210mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 30 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)302mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurTO-236AB
Paquet / caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 1599

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