Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN22006NH,LQ
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TPN22006NH,LQ
| Référence fabricant: | TPN22006NH,LQ |
| Fabricant: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON |
| Feuilles de données: | TPN22006NH,LQ Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | U-MOSVIII-H |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 60 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 6.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 30 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de l'appareil fournisseur | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
État des stocks: 993
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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40 $ US par FedEx.
Arriver dans 3-5 jours
Express :(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Livraison gratuite sur les premiers 0,5 kg pour les commandes supérieures à 150 $, le surpoids sera facturé séparément
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