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Roving Networks / Microchip Technology / VN2210N2

VN2210N2

Référence fabricant: VN2210N2
Fabricant: Roving Networks / Microchip Technology
Partie de la description: MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Feuilles de données: VN2210N2 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C1.7A (Tj)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)360mW (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-39
Paquet / caisseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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