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Rochester Electronics / FQA6N70

FQA6N70

Référence fabricant: FQA6N70
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
Feuilles de données: FQA6N70 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesQFET®
PaquetTube
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C6.4A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1.4 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)152W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-3P
Paquet / caisseTO-3P-3, SC-65-3
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État des stocks: 4865

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