STMicroelectronics / SCTH90N65G2V-7
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SCTH90N65G2V-7
| Référence fabricant: | SCTH90N65G2V-7 |
| Fabricant: | STMicroelectronics |
| Partie de la description: | SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 650 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V |
| Vgs (max) | +22V, -10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 400 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 330W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de l'appareil fournisseur | H2PAK-7 |
| Paquet / caisse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
État des stocks: 873
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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