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IR (Infineon Technologies) / IPS60R1K0PFD7SAKMA1

IPS60R1K0PFD7SAKMA1

Référence fabricant: IPS60R1K0PFD7SAKMA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesCoolMOS™PFD7
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C4.7A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 400 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)26W (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurPG-TO251-3
Paquet / caisseTO-251-3 Stub Leads, IPak
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État des stocks: 1000

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