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IR (Infineon Technologies) / IPL60R105P7AUMA1

IPL60R105P7AUMA1

Référence fabricant: IPL60R105P7AUMA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 650V 33A 4VSON
Feuilles de données: IPL60R105P7AUMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesCoolMOS™ P7
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C33A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 530µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1952 pF @ 400 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)137W (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPG-VSON-4
Paquet / caisse4-PowerTSFN
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 5783

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