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IR (Infineon Technologies) / IPW65R420CFDFKSA2

IPW65R420CFDFKSA2

Référence fabricant: IPW65R420CFDFKSA2
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesCoolMOS™ CFD2
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8.7A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs31.5 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds870 pF @ 100 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)83.3W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurPG-TO247-3-41
Paquet / caisseTO-247-3
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