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NIF9N05CLT1

Référence fabricant:	NIF9N05CLT1
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
Feuilles de données:	NIF9N05CLT1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	52 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	2.6A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 35 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.69W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	SOT-223
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA

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