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IPD90R1K2C3ATMA2

Référence fabricant:	IPD90R1K2C3ATMA2
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
Feuilles de données:	IPD90R1K2C3ATMA2 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	CoolMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	5.1A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 0.31mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-TO252-3
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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