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STMicroelectronics / STD11NM60N-1

STD11NM60N-1

Référence fabricant: STD11NM60N-1
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
Feuilles de données: STD11NM60N-1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesMDmesh™ II
PaquetTube
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C10A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Vgs (max)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds850 pF @ 50 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)90W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurI-PAK
Paquet / caisseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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