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2SK4151TZ-E

Référence fabricant:	2SK4151TZ-E
Fabricant:	Renesas Electronics America
Partie de la description:	MOSFET N-CH 150V 1A TO92
Feuilles de données:	2SK4151TZ-E Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	1A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.95Ohm @ 500mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.5 nC @ 4 V
Vgs (max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	98 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	750mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-92
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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