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Vishay / Siliconix / SIHF9630S-GE3

SIHF9630S-GE3

Référence fabricant: SIHF9630S-GE3
Fabricant: Vishay / Siliconix
Partie de la description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C6.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds700 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3W (Ta), 74W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurD²PAK (TO-263)
Paquet / caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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