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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NVMFS4C05NWFT3G

NVMFS4C05NWFT3G

Référence fabricant: NVMFS4C05NWFT3G
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Feuilles de données: NVMFS4C05NWFT3G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C24.7A (Ta), 116A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1972 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.61W (Ta), 79W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse8-PowerTDFN
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