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Vishay / Siliconix / SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

Référence fabricant: SQJ860EP-T1_GE3
Fabricant: Vishay / Siliconix
Partie de la description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Feuilles de données: SQJ860EP-T1_GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C60A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)48W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPowerPAK® SO-8
Paquet / caissePowerPAK® SO-8
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État des stocks: 12483

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