Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FQI7N10TU
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FQI7N10TU
| Référence fabricant: | FQI7N10TU |
| Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK |
| Feuilles de données: | FQI7N10TU Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | QFET® |
| Paquet | Tube |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 100 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 7.3A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 3.65A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±25V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de l'appareil fournisseur | I2PAK (TO-262) |
| Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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