Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FQA8N80C
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FQA8N80C
| Référence fabricant: | FQA8N80C |
| Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P |
| Feuilles de données: | FQA8N80C Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | QFET® |
| Paquet | Tube |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 800 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 8.4A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 4.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±30V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 25 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 220W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de l'appareil fournisseur | TO-3P |
| Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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Calcul du fret
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