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Rochester Electronics / NTLUS3C18PZTBG

NTLUS3C18PZTBG

Référence fabricant: NTLUS3C18PZTBG
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Feuilles de données: NTLUS3C18PZTBG Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C4.4A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs15.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1.57 pF @ 6 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)660mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur6-UDFN (1.6x1.6)
Paquet / caisse6-PowerUFDFN
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