Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FDB14AN06LA0-F085
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FDB14AN06LA0-F085
| Référence fabricant: | FDB14AN06LA0-F085 |
| Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB |
| Feuilles de données: | FDB14AN06LA0-F085 Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 60 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 67A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 67A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 5 V |
| Vgs (max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de l'appareil fournisseur | TO-263AB |
| Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
État des stocks: 992
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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Calcul du fret
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