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Rochester Electronics / 5HN01M-TL-E

5HN01M-TL-E

Référence fabricant: 5HN01M-TL-E
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Feuilles de données: 5HN01M-TL-E Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)50 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C100mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6.2 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)150mW (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur3-MCP
Paquet / caisseSC-70, SOT-323
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 15000

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