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Roving Networks / Microchip Technology / TN0610N3-G-P013

TN0610N3-G-P013

Référence fabricant: TN0610N3-G-P013
Fabricant: Roving Networks / Microchip Technology
Partie de la description: MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Feuilles de données: TN0610N3-G-P013 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Box (TB)
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C500mA (Tj)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-92-3
Paquet / caisseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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État des stocks: Expédition le jour même

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