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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NTD4909NAT4G

NTD4909NAT4G

Référence fabricant: NTD4909NAT4G
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8.8A (Ta), 41A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs17.5 nC @ 10 V
Vgs (max)-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1314 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurDPAK
Paquet / caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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