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Vishay / Siliconix / SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Référence fabricant: SIRA12BDP-T1-GE3
Fabricant: Vishay / Siliconix
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Feuilles de données: SIRA12BDP-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesTrenchFET® Gen IV
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C27A (Ta), 60A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Vgs (max)+20V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1470 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)5W (Ta), 38W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPowerPAK® SO-8
Paquet / caissePowerPAK® SO-8
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État des stocks: 2422

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