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Rochester Electronics / IPU80R1K2P7AKMA1

IPU80R1K2P7AKMA1

Référence fabricant: IPU80R1K2P7AKMA1
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Feuilles de données: IPU80R1K2P7AKMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesCoolMOS™ P7
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C4.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 80µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds300 pF @ 500 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)37W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurPG-TO251-3
Paquet / caisseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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État des stocks: 1425

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