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R6030ENZ1C9

Référence fabricant:	R6030ENZ1C9
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Feuilles de données:	R6030ENZ1C9 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	120W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-247
Paquet / caisse	TO-247-3

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