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XPH2R106NC,L1XHQ

Référence fabricant:	XPH2R106NC,L1XHQ
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Feuilles de données:	XPH2R106NC,L1XHQ Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	110A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	104 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6900 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN

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État des stocks: 9832

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Quantité	Prix unitaire	Poste Prix
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