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Renesas Electronics America / RJK2057DPA-00#J0

RJK2057DPA-00#J0

Référence fabricant: RJK2057DPA-00#J0
Fabricant: Renesas Electronics America
Partie de la description: MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
Feuilles de données: RJK2057DPA-00#J0 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C20A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1250 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)30W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-WPAK
Paquet / caisse8-PowerWDFN
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État des stocks: Expédition le jour même

Le minimum: 1

Quantité Prix ​​unitaire Poste Prix

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