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IR (Infineon Technologies) / SPB18P06PGATMA1

SPB18P06PGATMA1

Référence fabricant: SPB18P06PGATMA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Feuilles de données: SPB18P06PGATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesSIPMOS®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C18.7A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds860 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)81.1W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurD²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 4

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