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IRF6623TR1PBF

Référence fabricant:	IRF6623TR1PBF
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Feuilles de données:	IRF6623TR1PBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	HEXFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	16A (Ta), 55A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1360 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.4W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	DIRECTFET™ ST
Paquet / caisse	DirectFET™ Isometric ST

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