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STB18NM60ND

Référence fabricant:	STB18NM60ND
Fabricant:	STMicroelectronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Feuilles de données:	STB18NM60ND Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	FDmesh™ II
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	13A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1030 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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