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NSV40300MDR2G

Référence fabricant:	NSV40300MDR2G
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, DUAL PN
Feuilles de données:	NSV40300MDR2G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de transistor	2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	3A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	40V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic	170mV @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max)	100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce	180 @ 1A, 2V
Puissance - Max	653mW
Fréquence - Transition	100MHz
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	8-SOIC

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