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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / HN1B01FU-GR,LF

HN1B01FU-GR,LF

Référence fabricant: HN1B01FU-GR,LF
Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Feuilles de données: HN1B01FU-GR,LF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de transistorNPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)150mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)50V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max)100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max200mW, 210mW
Fréquence - Transition150MHz
Température de fonctionnement125°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de l'appareil fournisseurUS6
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