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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / 2SA965-O(TE6,F,M)

2SA965-O(TE6,F,M)

Référence fabricant: 2SA965-O(TE6,F,M)
Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description: TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Feuilles de données: 2SA965-O(TE6,F,M) Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de transistorPNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)800 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)120 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (max)100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 100mA, 5V
Puissance - Max900 mW
Fréquence - Transition120MHz
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisseTO-226-3, TO-92-3 Long Body
Package de l'appareil fournisseurLSTM
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État des stocks: Expédition le jour même

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