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Rochester Electronics / BC860BMTF

BC860BMTF

Référence fabricant: BC860BMTF
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Feuilles de données: BC860BMTF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de transistorPNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100 mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)45 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max)15nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Puissance - Max310 mW
Fréquence - Transition150MHz
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de l'appareil fournisseurSOT-23-3
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