Vishay General Semiconductor – Diodes Division / SM6T39AHE3/5B
L'image est pour référence, s'il vous plaît contactez-nous pour obtenir la vraie image
SM6T39AHE3/5B
| Référence fabricant: | SM6T39AHE3/5B |
| Fabricant: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Partie de la description: | TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AA |
| Feuilles de données: | SM6T39AHE3/5B Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division SM6T39AHE3/5B est disponible sur chipnets.com. Nous ne vendons que des pièces neuves et originales et offrons une garantie d'un an. Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un meilleur prix, veuillez nous contacter, cliquez sur le chat en ligne ou envoyez-nous un devis.
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | Automotive, AEC-Q101, SM6T, TransZorb® |
| Paquet | Tape & Reel (TR) |
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| Taper | Zener |
| Canaux unidirectionnels | 1 |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Standoff inversé (Typ) | 33.3V |
| Tension - Panne (Min) | 37.1V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 53.9V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000µs) | 11.1A |
| Puissance - impulsion de crête | 600W |
| Protection des lignes électriques | No |
| Applications | Automotive |
| Capacité à la fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
| Package de l'appareil fournisseur | DO-214AA (SMBJ) |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
||
40 $ US par FedEx.
Arriver dans 3-5 jours
Express :(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Livraison gratuite sur les premiers 0,5 kg pour les commandes supérieures à 150 $, le surpoids sera facturé séparément
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
STMicroelectronics |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
STMicroelectronics |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |