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FD-DF80R12W1H3_B52

Référence fabricant:	FD-DF80R12W1H3_B52
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	IGBT MOD 1200V 40A 215W
Feuilles de données:	FD-DF80R12W1H3_B52 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type IGBT	Trench Field Stop
Configuration	Single
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	40 A
Puissance - Max	215 W
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 40A
Courant - Coupure du collecteur (max)	1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	235 nF @ 25 V
Saisir	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package de l'appareil fournisseur	Module

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	FDDF80R12W1H3B52BOMA1 Rochester Electronics
	FD-DF80R12W1H3_B52 IR (Infineon Technologies)

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