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Rochester Electronics / NVDD5894NLT4G

NVDD5894NLT4G

Référence fabricant: NVDD5894NLT4G
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: N-CHANNEL, MOSFET
Feuilles de données: NVDD5894NLT4G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FETStandard
Vidange à la tension de source (Vdss)40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C14A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs41nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2103pF @ 25V
Puissance - Max3.8W (Ta), 75W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Package de l'appareil fournisseurDPAK-5
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NVDD5894NLT4G

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