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IRF7902TRPBF

Référence fabricant:	IRF7902TRPBF
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	HEXFET POWER MOSFET
Feuilles de données:	IRF7902TRPBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	HEXFET®
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	-
Vidange à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	6.4A (Ta), 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.25V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.9nC, 9.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	580pF, 900pF @ 15V
Puissance - Max	1.4W (Ta), 2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	8-SO

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