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HN3C10FUTE85LF

Référence fabricant:	HN3C10FUTE85LF
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de transistor	2 NPN (Dual)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	12V
Fréquence - Transition	7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Gagner	11.5dB
Puissance - Max	200mW
Gain de courant CC (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	80mA
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de l'appareil fournisseur	US6

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