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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / NSB8DTHE3_A/P

NSB8DTHE3_A/P

Référence fabricant: NSB8DTHE3_A/P
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Feuilles de données: NSB8DTHE3_A/P Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de diodeStandard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)200 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)8A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 8 A
La vitesseStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)-
Courant - Fuite inversée @ Vr10 µA @ 200 V
Capacité @ Vr, F55pF @ 4V, 1MHz
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de l'appareil fournisseurTO-263AB
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 150°C
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